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可控硅被擊穿的原因有哪些
發(fā)布時(shí)間：
2022-02-08 15:31
1、過(guò)壓擊穿：過(guò)壓擊穿是可控硅擊穿的主要原因之一，可控硅對過(guò)壓的承受能力幾乎是沒(méi)有時(shí)間的，即使在幾毫秒的短時(shí)間內過(guò)壓也會(huì )被擊穿的，因此實(shí)際應用電路中，在可控硅兩端一定要接入RC吸收回路，以避免各種無(wú)規則的干擾脈沖所引起的瞬間過(guò)壓。如果經(jīng)常發(fā)生可控硅擊穿，請檢查一下吸收回路的各元件是否有燒壞或失效的。
2、過(guò)流與過(guò)熱擊穿：其實(shí)過(guò)流擊穿與過(guò)熱擊穿是一回事。過(guò)流擊穿就是電流在通過(guò)可控硅芯片時(shí)在芯片內部產(chǎn)生熱效應，使芯片溫度升高，當芯片溫度達到125℃時(shí)芯片就會(huì )失效且不能恢復。在正常的使用條件下，只要工作電流不超過(guò)可控硅額定電流是不會(huì )發(fā)生這種熱擊穿的，因為過(guò)流擊穿原理是由于溫度升高所引起的，而溫度升高的過(guò)程是需要一定時(shí)間的，所以在短時(shí)間內過(guò)流（幾百毫秒到幾秒時(shí)間）一般是不會(huì )擊穿的。
3、過(guò)熱擊穿：這里所說(shuō)的過(guò)熱擊穿是指在工作電流并不超過(guò)可控硅額定電流的情況下而發(fā)生的熱擊穿，發(fā)生這種擊穿的原因主要是可控硅的輔助散熱裝置工作不良而引起可控硅芯片溫度過(guò)高導致?lián)舸?/span>
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